IPAN60R650CEXKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	IPAN60R650CEXKSA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9.9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	-
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220 Full Pack
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IPAN60R180P7SXKSA1	Infineon Technologies	CONSUMER	Détails
IPAN60R650CEXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET NCH 600V 9.9A TO220	Détails
IPAN60R800CEXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET NCH 600V 8.4A TO220	Détails