IKW25N120T2

IKW25N120T2 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IKW25N120T2
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 1200V 50A 349W TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IKW25N120T2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2080 pcs
Prix ​​de référence
USD 6.68/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IKW25N120T2

IKW25N120T2 Description détaillée

Numéro d'article IKW25N120T2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A
Puissance - Max 349W
Échange d'énergie 2.9mJ
Type d'entrée Standard
Charge de porte 120nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 27ns/265ns
Condition de test 600V, 25A, 16.4 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 195ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur PG-TO247-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IKW25N120T2