IKD04N60RAATMA1

IKD04N60RAATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IKD04N60RAATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
45253 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.5936/pcs
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IKD04N60RAATMA1 Description détaillée

Numéro d'article IKD04N60RAATMA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 8A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Puissance - Max 75W
Échange d'énergie 90µJ (on), 150µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 27nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14ns/146ns
Condition de test 400V, 4A, 43 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 43ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Poids -
Pays d'origine -

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