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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › IHW40N120R3FKSA1
IHW40N120R3FKSA1

IHW40N120R3FKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IHW40N120R3FKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 1200V 80A 429W TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IHW40N120R3FKSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
665 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.07/pcs
Notre prix
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IHW40N120R3FKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IHW40N120R3FKSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 40A
Puissance - Max 429W
Échange d'énergie 2.02mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 335nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/336ns
Condition de test 600V, 40A, 7.5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur PG-TO247-3
Poids -
Pays d'origine -

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