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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › IHW30N160R2FKSA1
IHW30N160R2FKSA1

IHW30N160R2FKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IHW30N160R2FKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IHW30N160R2FKSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
34280 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.803/pcs
Notre prix
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IHW30N160R2FKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IHW30N160R2FKSA1
État de la pièce Last Time Buy
Type d'IGBT NPT, Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Puissance - Max 312W
Échange d'énergie 4.37mJ
Type d'entrée Standard
Charge de porte 94nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/525ns
Condition de test 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur PG-TO247-3
Poids -
Pays d'origine -

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