IGW50N65F5AXKSA1

IGW50N65F5AXKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IGW50N65F5AXKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 650V TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
IGW50N65F5AXKSA1.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
5434 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.8557/pcs
Notre prix
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IGW50N65F5AXKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IGW50N65F5AXKSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Puissance - Max 270W
Échange d'énergie 490µJ (on), 140µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 108nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 21ns/156ns
Condition de test 400V, 25A, 12 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur PG-TO247-3
Poids -
Pays d'origine -

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