IFS100B12N3E4_B39

IFS100B12N3E4_B39 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IFS100B12N3E4_B39
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
782 pcs
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IFS100B12N3E4_B39 Description détaillée

Numéro d'article IFS100B12N3E4_B39
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 515W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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