IAUT150N10S5N035ATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	IAUT150N10S5N035ATMA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 110µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6110pF @ 50V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	166W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-HSOF-8-1
Paquet / cas	8-PowerSFN
Poids	-
Pays d'origine	-