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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › FZ1200R17KE3B2NOSA1
FZ1200R17KE3B2NOSA1

FZ1200R17KE3B2NOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FZ1200R17KE3B2NOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULE 1700V 1200A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FZ1200R17KE3B2NOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
40520 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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FZ1200R17KE3B2NOSA1 Description détaillée

Numéro d'article FZ1200R17KE3B2NOSA1
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Configuration -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Puissance - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic -
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce -
Contribution -
Thermistance NTC -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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