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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › FS50R12KT4B11BOSA1
FS50R12KT4B11BOSA1

FS50R12KT4B11BOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FS50R12KT4B11BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FS50R12KT4B11BOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2122 pcs
Prix ​​de référence
USD 77.552/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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FS50R12KT4B11BOSA1 Description détaillée

Numéro d'article FS50R12KT4B11BOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Puissance - Max 280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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