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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › FS50R07N2E4BOSA1
FS50R07N2E4BOSA1

FS50R07N2E4BOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FS50R07N2E4BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FS50R07N2E4BOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
40505 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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FS50R07N2E4BOSA1 Description détaillée

Numéro d'article FS50R07N2E4BOSA1
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Puissance - Max 190W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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