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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › FS100R12KE3_B3
FS100R12KE3_B3

FS100R12KE3_B3 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FS100R12KE3_B3
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT FS100R12KE3B3NOSA1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FS100R12KE3_B3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
800 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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FS100R12KE3_B3 Description détaillée

Numéro d'article FS100R12KE3_B3
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 140A
Puissance - Max 480W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 7.1nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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