FP25R12KT4B15BOSA1

FP25R12KT4B15BOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FP25R12KT4B15BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2552 pcs
Prix ​​de référence
USD 64.447/pcs
Notre prix
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FP25R12KT4B15BOSA1 Description détaillée

Numéro d'article FP25R12KT4B15BOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 25A
Puissance - Max 160W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 25A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 1.45nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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