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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › FF800R17KF6CB2NOSA1
FF800R17KF6CB2NOSA1

FF800R17KF6CB2NOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FF800R17KF6CB2NOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FF800R17KF6CB2NOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
462 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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FF800R17KF6CB2NOSA1 Description détaillée

Numéro d'article FF800R17KF6CB2NOSA1
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Configuration 2 Independent
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Puissance - Max 6250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 800A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1.5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 52nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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