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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

FF225R12ME4BOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FF225R12ME4BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FF225R12ME4BOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1500 pcs
Prix ​​de référence
USD 109.66/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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FF225R12ME4BOSA1 Description détaillée

Numéro d'article FF225R12ME4BOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration 2 Independent
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 320A
Puissance - Max 1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 225A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 3mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 13nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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