FF150R17ME3GBOSA1

FF150R17ME3GBOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FF150R17ME3GBOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1432 pcs
Prix ​​de référence
USD 114.768/pcs
Notre prix
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FF150R17ME3GBOSA1 Description détaillée

Numéro d'article FF150R17ME3GBOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration 2 Independent
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 240A
Puissance - Max 1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 3mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 13.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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