| Numéro d'article | FD1000R33HL3KBPSA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Configuration | 2 Independent |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 3300V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1000A |
| Puissance - Max | 11500W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 1000A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 190nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
FD1000015 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 10.000MHZ CMOS SMD | Détails |
|
FD1000016 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 10.000MHZ CMOS SMD | Détails |
|
FD1000017 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 10.000MHZ CMOS SMD | Détails |
 |
FD1000C | SONY | FD1000C SONY NEW Q.. New Original Stocks | Détails |
|
FD1000R17IE4BOSA2 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 1000A | Détails |
|
FD1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies | MODULE IGBT PRIME3-1 | Détails |
|
FD1000R33HE3KBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 1000A | Détails |
|
FD1000R33HL3KBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 1000A | Détails |
