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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › F475R07W1H3B11ABOMA1
F475R07W1H3B11ABOMA1

F475R07W1H3B11ABOMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
F475R07W1H3B11ABOMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULES
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
F475R07W1H3B11ABOMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
F475R07W1H3B11ABOMA1.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
532 pcs
Prix ​​de référence
USD 48.8233/pcs
Notre prix
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F475R07W1H3B11ABOMA1 Description détaillée

Numéro d'article F475R07W1H3B11ABOMA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Puissance - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic -
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce -
Contribution -
Thermistance NTC -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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