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F1235R12KT4GBOSA1

F1235R12KT4GBOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article: F1235R12KT4GBOSA1
Fabricant: Infineon Technologies
Brève description: IGBT F1235R12KT4GBOSA1
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: F1235R12KT4GBOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: -
Catégorie: Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 40532 pcs
Prix de référence: USD 0/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

F1235R12KT4GBOSA1 Description détaillée

Numéro d'article	F1235R12KT4GBOSA1
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	35A
Puissance - Max	210W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 35A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	2nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module
Poids	-
Pays d'origine	-

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