DF23MR12W1M1B11BPSA1 Description détaillée
| Numéro d'article |
DF23MR12W1M1B11BPSA1 |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique |
Silicon Carbide (SiC) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
1200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
25A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
5.55V @ 10mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
62nC @ 15V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
1840pF @ 800V |
| Puissance - Max |
20mW |
| Température de fonctionnement |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Chassis Mount |
| Paquet / cas |
Module |
| Package de périphérique fournisseur |
AG-EASY1BM-2 |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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