DD800S17K3_B2

DD800S17K3_B2 - Infineon Technologies

Numéro d'article
DD800S17K3_B2
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Diodes - Redresseurs - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
187 pcs
Prix ​​de référence
USD 870.91/pcs
Notre prix
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DD800S17K3_B2 Description détaillée

Numéro d'article DD800S17K3_B2
État de la pièce Active
Configuration de diode 2 Independent
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1700V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) -
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 2.2V @ 800A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 780A @ 900V
Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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