BSZ086P03NS3E G

BSZ086P03NS3E G - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSZ086P03NS3E G
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSZ086P03NS3E G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
12500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3903/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSZ086P03NS3E G

BSZ086P03NS3E G Description détaillée

Numéro d'article BSZ086P03NS3E G
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 105µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 57.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4785pF @ 15V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TSDSON-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSZ086P03NS3E G