BSP615S2L

BSP615S2L - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSP615S2L
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSP615S2L Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
BSP615S2L.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4007 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSP615S2L

BSP615S2L Description détaillée

Numéro d'article BSP615S2L
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 12µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 1.4A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223-4
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSP615S2L