BSP613P

BSP613P - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSP613P
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4258 pcs
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BSP613P Description détaillée

Numéro d'article BSP613P
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.9A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 875pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 2.9A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223-4
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
Poids -
Pays d'origine -

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