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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › BSM30GD60DLCE3224
BSM30GD60DLCE3224

BSM30GD60DLCE3224 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSM30GD60DLCE3224
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
40525 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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BSM30GD60DLCE3224 Description détaillée

Numéro d'article BSM30GD60DLCE3224
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 40A
Puissance - Max 135W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 1.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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