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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › BSM150GB170DLCHOSA1
BSM150GB170DLCHOSA1

BSM150GB170DLCHOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSM150GB170DLCHOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSM150GB170DLCHOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
807 pcs
Prix ​​de référence
USD 203.867/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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BSM150GB170DLCHOSA1 Description détaillée

Numéro d'article BSM150GB170DLCHOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 300A
Puissance - Max 1250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 300µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 10nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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