BSC16DN25NS3GATMA1

BSC16DN25NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSC16DN25NS3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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202782 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.81195/pcs
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BSC16DN25NS3GATMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSC16DN25NS3GATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 32µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 100V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

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