BSC130P03LSGAUMA1

BSC130P03LSGAUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSC130P03LSGAUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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230280 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.715/pcs
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BSC130P03LSGAUMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSC130P03LSGAUMA1
État de la pièce Not For New Designs
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 22.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 73.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3670pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

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