BSC072N025S G

BSC072N025S G - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSC072N025S G
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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4146 pcs
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BSC072N025S G Description détaillée

Numéro d'article BSC072N025S G
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 40A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 40A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

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