BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSC030P03NS3GAUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSC030P03NS3GAUMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
125865 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.30815/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSC030P03NS3GAUMA1
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 345µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSC030P03NS3GAUMA1