BSC030P03NS3GAUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	BSC030P03NS3GAUMA1
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	25.4A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 345µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	186nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14000pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TDSON-8
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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