BSC020N03LSGATMA2

BSC020N03LSGATMA2 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSC020N03LSGATMA2
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
LV POWER MOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
48068 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.5618/pcs
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BSC020N03LSGATMA2 Description détaillée

Numéro d'article BSC020N03LSGATMA2
État de la pièce Active
FET Type -
La technologie -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Package de périphérique fournisseur -
Paquet / cas -
Poids -
Pays d'origine -

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