BSC010NE2LSATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	BSC010NE2LSATMA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	39A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4700pF @ 12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TDSON-8
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BSC010N04LS6ATMA1	Infineon Technologies	TRENCH 40V	Détails
BSC010N04LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8	Détails
BSC010N04LSCATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	Détails
BSC010N04LSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON	Détails
BSC010N04LSTATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	Détails
BSC010NE2LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8	Détails
BSC010NE2LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8	Détails
BSC010NE2LSI	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8	Détails
BSC010NE2LSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8	Détails