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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - RF › BG 3230 E6327
BG 3230 E6327

BG 3230 E6327 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BG 3230 E6327
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BG 3230 E6327 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
BG 3230 E6327.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3756 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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BG 3230 E6327 Description détaillée

Numéro d'article BG 3230 E6327
État de la pièce Obsolete
Type de transistor 2 N-Channel (Dual)
La fréquence 800MHz
Gain 24dB
Tension - Test 5V
Note actuelle 25mA
Figure de bruit 1.3dB
Actuel - Test -
Puissance - Sortie -
Tension - Rated 8V
Paquet / cas 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur PG-SOT363-6
Poids -
Pays d'origine -

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Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
BG 3230 E6327 BG 3230 E6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 Détails