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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - RF › BFP640FESDH6327XTSA1
BFP640FESDH6327XTSA1

BFP640FESDH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BFP640FESDH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
TRANS RF NPN 4.5V 50MA 4TSFP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BFP640FESDH6327XTSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
133362 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1973/pcs
Notre prix
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BFP640FESDH6327XTSA1 Description détaillée

Numéro d'article BFP640FESDH6327XTSA1
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 4.7V
Fréquence - Transition 46GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Gain 8B ~ 30.5dB
Puissance - Max 200mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA, 3V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 4-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur 4-TSFP
Poids -
Pays d'origine -

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