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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés › BCR119SE6327BTSA1
BCR119SE6327BTSA1

BCR119SE6327BTSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BCR119SE6327BTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3944 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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BCR119SE6327BTSA1 Description détaillée

Numéro d'article BCR119SE6327BTSA1
État de la pièce Obsolete
Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Fréquence - Transition 150MHz
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur PG-SOT363-6
Poids -
Pays d'origine -

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