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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Durée de conservation › AUIRS20161S
AUIRS20161S

AUIRS20161S - Infineon Technologies

Numéro d'article
AUIRS20161S
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
AUIRS20161S Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
AUIRS20161S.pdf
Catégorie
Durée de conservation
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4070 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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AUIRS20161S Description détaillée

Numéro d'article AUIRS20161S
État de la pièce Obsolete
Configuration pilotée High-Side
Type de canal Single
Nombre de pilotes 1
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.4 V ~ 6.5 V
Tension logique - VIL, VIH -
Courant - sortie de crête (source, évier) 500mA, 500mA
Type d'entrée Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 150V
Rise / Fall Time (Typ) 200ns, 200ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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