AUIRF7341Q

AUIRF7341Q - Infineon Technologies

Numéro d'article
AUIRF7341Q
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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3571 pcs
Prix ​​de référence
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AUIRF7341Q Description détaillée

Numéro d'article AUIRF7341Q
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
Puissance - Max 2.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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