98-0119PBF

98-0119PBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
98-0119PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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98-0119PBF Description détaillée

Numéro d'article 98-0119PBF
État de la pièce Obsolete
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 3.3 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2A, 2A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 600V
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 14-DIP (0.300", 7.62mm), 12 Leads
Package de périphérique fournisseur 14-PDIP
Poids -
Pays d'origine -

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