HTNFET-DC - Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

Numéro d'article	HTNFET-DC
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 28V
Vgs (Max)	10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	50W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 100mA, 5V
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	-
Paquet / cas	8-CDIP Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
HTN4A60S	EXSHINE	NON INSULATED TYPE TRIAC	Détails
HTNFET-D	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors	MOSFET N-CH 55V 8-DIP	Détails
HTNFET-DC	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors	MOSFET N-CH 55V 8-DIP	Détails
HTNFET-T	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors	MOSFET N-CH 55V 4-PIN	Détails
HTNFET-TC	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors	MOSFET N-CH 55V 4-PIN	Détails