GP1M018A020CG

GP1M018A020CG - Global Power Technologies Group

Numéro d'article
GP1M018A020CG
Fabricant
Global Power Technologies Group
Brève description
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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GP1M018A020CG.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3550 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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GP1M018A020CG Description détaillée

Numéro d'article GP1M018A020CG
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D-Pak
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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