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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › GP1M006A065CH
GP1M006A065CH

GP1M006A065CH - Global Power Technologies Group

Numéro d'article
GP1M006A065CH
Fabricant
Global Power Technologies Group
Brève description
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GP1M006A065CH Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GP1M006A065CH.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3761 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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GP1M006A065CH Description détaillée

Numéro d'article GP1M006A065CH
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1177pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D-Pak
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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