| Numéro d'article | GD25VQ40CEIGR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NOR |
| Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
| Fréquence d'horloge | 104MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 50µs, 3ms |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | SPI - Quad I/O |
| Tension - Alimentation | 2.3V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | 8-USON (2x3) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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GD25VE16CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
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GD25VE16CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
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GD25VE16CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
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GD25VE16CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
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GD25VE16CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
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GD25VE20CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
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GD25VE20CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
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