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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Mémoire › GD25S512MDFIGR
GD25S512MDFIGR

GD25S512MDFIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Numéro d'article
GD25S512MDFIGR
Fabricant
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Brève description
NOR FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GD25S512MDFIGR Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
33362 pcs
Prix ​​de référence
USD 5.4872/pcs
Notre prix
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GD25S512MDFIGR Description détaillée

Numéro d'article GD25S512MDFIGR
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NOR
Taille mémoire 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge 104MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 50µs, 2.4ms
Temps d'accès -
Interface de mémoire SPI - Quad I/O
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package de périphérique fournisseur 16-SOP
Poids -
Pays d'origine -

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Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
GD25S512MDBIGY GD25S512MDBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH Détails
GD25S512MDFIGR GD25S512MDFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH Détails
GD25S512MDYIGR GD25S512MDYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH Détails