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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Diodes - Redresseurs - Matrices › MURTA20060R
MURTA20060R

MURTA20060R - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
MURTA20060R
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MURTA20060R Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
MURTA20060R.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
345 pcs
Prix ​​de référence
USD 78.9011/pcs
Notre prix
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MURTA20060R Description détaillée

Numéro d'article MURTA20060R
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Anode
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 100A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 100A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 25µA @ 600V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Three Tower
Package de périphérique fournisseur Three Tower
Poids -
Pays d'origine -

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