MURT20060R

MURT20060R - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
MURT20060R
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
MURT20060R.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
419 pcs
Prix ​​de référence
USD 62.7816/pcs
Notre prix
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MURT20060R Description détaillée

Numéro d'article MURT20060R
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Anode
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 200A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 100A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 160ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 25µA @ 50V
Température de fonctionnement - Jonction -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Three Tower
Package de périphérique fournisseur Three Tower
Poids -
Pays d'origine -

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