MSRTA20060(A)D - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	MSRTA20060(A)D
État de la pièce	Active
Configuration de diode	1 Pair Series Connection
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	200A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 200A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 600V
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Three Tower
Package de périphérique fournisseur	Three Tower
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MSRTA200100(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER	Détails
MSRTA200120(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER	Détails
MSRTA200140(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER	Détails
MSRTA200160(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER	Détails
MSRTA20060(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER	Détails
MSRTA20080(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER	Détails
MSRTA300100(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER	Détails
MSRTA300120(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER	Détails
MSRTA300140(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER	Détails
MSRTA300160(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER	Détails