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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Diodes - Redresseurs - Matrices › MSRT200120(A)D
MSRT200120(A)D

MSRT200120(A)D - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
MSRT200120(A)D
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MSRT200120(A)D Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
MSRT200120(A)D.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
485 pcs
Prix ​​de référence
USD 55.8352/pcs
Notre prix
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MSRT200120(A)D Description détaillée

Numéro d'article MSRT200120(A)D
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Series Connection
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 200A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 200A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 1200V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Three Tower
Package de périphérique fournisseur Three Tower
Poids -
Pays d'origine -

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