MBRT600200R

MBRT600200R - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
MBRT600200R
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
MBRT600200R.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
313 pcs
Prix ​​de référence
USD 82.4984/pcs
Notre prix
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MBRT600200R Description détaillée

Numéro d'article MBRT600200R
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Anode
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 300A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 920mV @ 300A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 1mA @ 200V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Three Tower
Package de périphérique fournisseur Three Tower
Poids -
Pays d'origine -

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