MBR30030CT - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	MBR30030CT
État de la pièce	Active
Configuration de diode	1 Pair Common Cathode
Type de diode	Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	300A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	650mV @ 150A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	8mA @ 20V
Température de fonctionnement - Jonction	-
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Twin Tower
Package de périphérique fournisseur	Twin Tower
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MBR300100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER	Détails
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