MBR12020CT - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	MBR12020CT
État de la pièce	Active
Configuration de diode	1 Pair Common Cathode
Type de diode	Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	20V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	120A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	650mV @ 120A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	3mA @ 20V
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Twin Tower
Package de périphérique fournisseur	Twin Tower
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MBR10005	GOOD-ARK	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	Détails
MBR10100	SMC Diode Solutions	DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC	Détails
MBR10100 C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC	Détails
MBR10100-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC	Détails
MBR10100-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC	Détails
MBR10100C	JINTAI	MBR10100C JINTAI TO-220 New Original Stocks	Détails
MBR10100CD-E1	Diodes Incorporated	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO252	Détails
MBR10100CD-G1	Diodes Incorporated	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO252	Détails
MBR10100CDTR-E1	Diodes Incorporated	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO252	Détails
MBR10100CDTR-G1	Diodes Incorporated	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO252	Détails